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IL TRASMETTITORE
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Pilota |
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IL TRASMETTITORE Il primo stadio del trasmettitore ha anche la funzione di ricavare il segnale per pilotare lo stadio mixer del ricevitore: l’ulteriore amplificazione è garanzia di maggiore stabilità. Le bobine L1, L2 ed L3 si avvolgono sui soliti supporti plastici del diametro di 5 mm, muniti di nucleo di ferrite e schermo metallico, utilizzando del filo di rame smaltato da 0,25 mm di diametro. Le spire da avvolgere sono 17-18. A questo stadio, accordato sui 14 MHz, seguono altri due, pure accordati, che operano una prima amplificazione capace di pilotare il finale, nella fattispecie un mosfet di potenza dal costo ragionevolmente più basso del solito e delicato transistor giapponese del tipo 2SC1969. Da prove effettuate, ma sarebbe forse meglio dire dopo innumerevoli imperizie, il mosfet in questione è risultato molto insensibile a svariate sevizie: non esagerate però. Il trimmer P serve a regolare la tensione di polarizzazione del gate di Q attorno a 4 V. La tensione a monte di P proviene dal collettore del transistor Q1 del modulo delle commutazioni. In fase di taratura un eventuale piccolo ritocco di P permetterebbe di ottenere una potenza anche superiore ai canonici 5 W che definiscono un apparato QRP: ma questo è un altro discorso. Nel modulo del finale di potenza il mosfet Q, opportunamente isolato con mica e spalmato di grasso ai siliconi per facilitare lo smaltimento del calore, dovrà essere imbullonato su un congruo dissipatore oppure avvitato direttamente alla spessa lamiera del contenitore. Praticare, con un seghetto da traforo, secondo la linea tratteggiata, una finestra attraverso la quale far aderire il transistor al dissipatore. Il circuito stampato del finale di potenza è a doppia faccia di rame mentre gli altri sono a semplice traccia. In fase di taratura regolare i nuclei di L1, L2 ed L3 per la massima uscita misurata su un tester in portata voltmetrica impiegando un carico fittizio QRP 50 W composto come in figura rammentando, ad esempio, che ad una tensione RF di 20 V corrispondono circa 4 W secondo la formula: P = V2/2*R P= 202/2*50 P = 400/100 = 4 W La bobina-trasformatore contrassegnata T è costituita da un nucleo in ferrite a doppio foro del tipo per balun: avvolgere per il primario una sola spira di filo di rame ricoperto di plastica del tipo per impianti telefonici e per il secondario 4 spire di filo di rame smaltato da 0.5 mm di diametro. La bobina H2 che costituisce, assieme a C6 e C7 il filtro passa basso, si costruisce con un nucleo toroidale di ferrite del tipo T50/6 ( giallo ): avvolgere 15-16 spire di filo di rame smaltato di 0.5 mm di diametro. ELENCO DEI COMPONENTI PILOTA RESISTENZE R1 = R4 = R5 = R7 = 10 k R2 = 3,9 k R3 = 330 R6 = 100 R9 = 47 CONDENSATORI C1 = C8 = C13 = 100 nF Ceramico a disco C2 = C5 = C11 = C12 = C14 = C16 = C17 = 10 nF Ceramico a disco C3 = 220 pF Ceramico a disco C4 = C10 = C15 = 22 pF Ceramico a disco C6 = 3,3 pF Ceramico a disco TRANSISTOR Q1 = Q2 = 2N2222 Q3 = 2N2866 oppure 2N4427 VARIE H1 = H2 = H3 = VK200 L1 = L2 = L3 ( Leggi testo ) WATTMETRO QRP ( 50-75 Ω) R1 = R2 = R3 = 150 ( 1 W ) C1 = 100 nF Ceramico a disco C2 = 10 nF Ceramico a disco D = 1N4148 H = VK 200 S = Interruttore in miniatura |
Circuito stampato
Circuito stampato lato componenti
Finale di potenza( Circuito elettrico )
Finale di potenza ( Circuito stampato)
Finale di potenza ( Lato componenti )
Wattmetro QRP
Sonda di radio frequenza FINALE DI POTENZA RESISTENZE
R = 1 k P = 4,7 k Trimmer CONDENSATORI C1 = 100 mF Elettrolitico C2 = C5 = 100 nF Ceramico a disco C3 = 10 nF Ceramico a disco C4 = 1 nF Ceramico a disco C6 = C7 = 220 pF Ceramico a disco TRANSISTOR Q = IRF624 o similari VARIE IC = 7805 Regolatore di tensione H1 = VK200 H2 = Leggi testo T = Leggi testo SONDA PER RADIO FREQUENZA C1 = 47 pF D1 = D2 = 1N4148 C2 = 10 nF ( Ceramico a disco )
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